Número de Producto del Fabricante:
TSM025NH04LCR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM025NH04LCR RLG-DG
Descripción:
40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 26A (Ta), 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
Inventario:
4995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986902
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ENVIAR
TSM025NH04LCR RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PerFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4179 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFNU (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1801-TSM025NH04LCRRLGCT
1801-TSM025NH04LCRRLGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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